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AON7804备选型号: NTLTD7900ZR2G
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- ECCN 代码
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- 电压 - 额定直流
- 终端形式
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- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads82-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)3.1W增强型MOSFET17W2 N-Channel (Dual)21m Ω @ 8A, 10V2.4V @ 250μA888pF @ 15V18nC @ 10V30V9A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant--------------------------
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO-表面贴装表面贴装8-VDFN Exposed Pad82-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009Obsolete1 (Unlimited)1.5W增强型MOSFET1.5W2 N-Channel (Dual)26m Ω @ 6.5A, 4.5V1V @ 250μA15pF @ 16V18nC @ 4.5V-6A12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)SILICONe3yes8EAR99Tin (Sn)防静电20V无铅2609A40NTLTD7900Z8不合格COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTORDRAINSWITCHING1.17ns1.17 ns6A0.026Ohm20V30A无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606- | 对比 |
 | DMP31D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN | 对比 |
| NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | 对比 |
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