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AOT11S65L备选型号: TK11A65W,S5X
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 质量
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
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- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
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MOSFET N-CH 650V 11A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-3311A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJTubeaMOS™2010活跃1 (Unlimited)N-Channel399m Ω @ 5.5A, 10V646pF @ 100V13.2nC @ 10V650V±30V11AROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-22016 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack311.1A Ta3.5V @ 450μA150°C TJTubeDTMOSIV2014活跃1 (Unlimited)N-Channel390mOhm @ 5.5A, 10V890pF @ 300V25nC @ 10V650V±30V11.1A符合RoHS标准TO-220SIS6.000006g150°C-55°C1Single45 ns23ns5.5 ns30V650V890pF330mOhm390 mΩ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK14A65W5,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | 对比 |
 | STFU18N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 12A | 对比 |
| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220 | 对比 |
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