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AOT13N50备选型号: IPP50R399CPXKSA1
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 13A TO22018 WeeksTO-220-3通孔通孔250W Tc4.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTube2010活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFET250WN-Channel510m Ω @ 6.5A, 10V1633pF @ 25V37nC @ 10V500V±30V13A30VROHS3 Compliant-----------------------------
MOSFET N-CH 500V 9A TO-2208 WeeksTO-220-3通孔通孔9A Ta3.5V @ 330μA-55°C~150°C TJTube2008不用于新设计1 (Unlimited)-增强型MOSFET83WN-Channel399m Ω @ 4.9A, 10V890pF @ 100V4nC @ 10V-±20V9A20VROHS3 Compliant3SILICONCoolMOS™e3yes3Tin (Sn)未说明未说明不合格SingleISOLATED35 nsSWITCHING无卤素14ns14 ns3VTO-220AB500V9A500V20A215 mJ10.36mm15.95mm4.57mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP11NK50Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH | 对比 |
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 | 对比 |
| STP11NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 | 对比 |
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