AOT1404L备选型号: IPP041N04NGXKSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 40V 15A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-315A Ta 220A Tc3.7V @ 250μA-55°C~175°C TJTube2010活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFET417WN-Channel4.2m Ω @ 20A, 10V4300pF @ 20V86nC @ 10V40V±20V220A20VROHS3 Compliant--------------------
- INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - MOSFET, N CH, 80A, 40V, PG-TO220-313 Weeks通孔通孔TO-220-380A Tc4V @ 45μA-55°C~175°C TJTube2008活跃1 (Unlimited)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET94WN-Channel4.1m Ω @ 80A, 10V4500pF @ 20V56nC @ 10V-±20V80A20VROHS3 Compliant3SILICONOptiMOS™e3yes3EAR99Tin (Sn)SINGLE16 nsSWITCHING无卤素3.8ns4.8 nsTO-220AB40V400A60 mJ无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - MOSFET, N CH, 80A, 40V, PG-TO220-3 | 对比 |
![]() | STP200NF04 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 | 对比 |
![]() | IPP048N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |




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