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AOT15S65L备选型号: TK14E65W,S1X
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 650V 15A TO22016 WeeksTO-220-3通孔通孔TO-22010V4V @ 250μAaMOS™Tube-55°C~150°C TJ2010不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel290mOhm @ 7.5A, 10V841pF @ 100V17.2nC @ 10V650V±30V15A841pF290 mΩROHS3 Compliant----------
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-22016 WeeksTO-220-3通孔通孔-13.7A Ta3.5V @ 690μADTMOSIVTube150°C TJ2014活跃1 (Unlimited)--N-Channel250m Ω @ 6.9A, 10V1300pF @ 300V35nC @ 10V-±30V13.7A--符合RoHS标准36.000006g1Single60 ns20ns7 ns30V650V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK14E65W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | 对比 |
 | STP24N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 16A TO-220AB | 对比 |
 | FCPF260N65FL1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET HV SuperJunction MOS | 对比 |
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