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首页 全部分类 AOT2500L vs IRFIB41N15DPBF

AOT2500L备选型号: IRFIB41N15DPBF

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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOT2500L
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 150V 152A TO-220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    11.5A Ta 152A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    6.5m Ω @ 20A, 10V
    3.5V @ 250μA
    6460pF @ 75V
    136nC @ 10V
    150V
    ±20V
    152A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFIB41N15DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2003
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    45m Ω @ 25A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2520pF @ 25V
    110nC @ 10V
    -
    ±20V
    41A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    150V
    260
    41A
    40
    Single
    200W
    ISOLATED
    16 ns
    SWITCHING
    63ns
    14 ns
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    0.045Ohm
    150V
    150V
    470 mJ
    5.5 V
    4.826mm
    10.6172mm
    16.12mm
    无
    无SVHC
    无铅
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