AOT2502L备选型号: IRFI4228PBF

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 额定电流
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET NCH 150V 106A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220
    18.5A Ta 106A Tc
    5.1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    11mOhm @ 20A, 10V
    3010pF @ 75V
    60nC @ 10V
    150V
    ±20V
    106A
    3.01nF
    11 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    46W Tc
    5V @ 250μA
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    16m Ω @ 20A, 10V
    4560pF @ 25V
    110nC @ 10V
    -
    ±30V
    34A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    HEXFET®
    3
    EAR99
    16MOhm
    150V
    34A
    Single
    增强型MOSFET
    46W
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    30V
    150V
    4.826mm
    10.6172mm
    9.8mm
    无铅
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