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AOT284L备选型号: IPP120N08S404AKSA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N CH 80V 16A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-316A Ta 105A Tc-55°C~175°C TJTube2010活跃1 (Unlimited)N-Channel4.5m Ω @ 20A, 10V3.3V @ 250μA5154pF @ 40V100nC @ 10V80V±20V105AROHS3 Compliant---------------------
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive14 Weeks通孔通孔TO-220-3120A Tc-55°C~175°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)N-Channel4.4m Ω @ 100A, 10V4V @ 120μA6450pF @ 25V95nC @ 10V-±20V120AROHS3 CompliantSILICONAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™e3yes3Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN无卤素TO-220AB80V0.0044Ohm480A310 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP110N8F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 80 V 200 W 150 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 | 对比 |
| IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive | 对比 |
 | BUK753R5-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-220AB Rail | 对比 |
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