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首页 全部分类 AOT410L vs STP120NF10

AOT410L备选型号: STP120NF10

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOT410L
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 100V 150A TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    12A Ta 150A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    SDMOS™
    2010
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    333W
    N-Channel
    6.5m Ω @ 20A, 10V
    7950pF @ 50V
    129nC @ 10V
    100V
    ±25V
    150A
    25V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP120NF10
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    110A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    增强型MOSFET
    312W
    N-Channel
    10.5m Ω @ 60A, 10V
    5200pF @ 25V
    233nC @ 10V
    -
    ±20V
    110A
    20V
    ROHS3 Compliant
    3
    4.535924g
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    10.5mOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    100V
    120A
    STP120
    Single
    DRAIN
    25 ns
    SWITCHING
    90ns
    68 ns
    4V
    TO-220AB
    100V
    440A
    550 mJ
    4.6mm
    9.15mm
    10.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube 对比