AOT5B65M1备选型号: STGF5H60DF
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- 最大功率耗散
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
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- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 生命周期状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- IGBT类型
- 高度
- IGBT 650V 5A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON650V-55°C~175°C TJTubeAlpha IGBT™2010yes活跃1 (Unlimited)383WSINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODEStandard83W电源控制N-CHANNEL1.98V10A195 nsTO-220AB21 ns1.98V @ 15V, 5A161 ns14nC15A8.5ns/106ns80μJ (on), 70μJ (off)ROHS3 Compliant----------
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S20 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack-600V-55°C~175°C TJTube---活跃1 (Unlimited)-24W-未说明未说明--Standard---600V10A134.5 ns--1.95V @ 15V, 5A-43nC20A30ns/140ns56μJ (on), 78.5μJ (off)ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1.5VEAR99STGF524W30 ns175°C10A沟渠现场停车20mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP5H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | 对比 |
![]() | STGF5H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | 对比 |
![]() | SKA06N60XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP | 对比 |





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