AOT7N65备选型号: IPP65R600E6XKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3 Tab) TO-22018 Weeks通孔通孔TO-220-37A Tc-55°C~150°C TJTube2010活跃1 (Unlimited)192WN-Channel1.56 Ω @ 3.5A, 10V4.5V @ 250μA1060pF @ 25V23nC @ 10V650V±30V7A30VROHS3 Compliant---------------------
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO22012 Weeks通孔通孔TO-220-37.3A Tc-55°C~150°C TJTube2011Obsolete1 (Unlimited)63WN-Channel600m Ω @ 2.1A, 10V3.5V @ 210μA440pF @ 100V23nC @ 10V-±20V7.3A20V符合RoHS标准SILICONCoolMOS™yes3SINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET10 nsSWITCHING无卤素8ns11 nsTO-220AB650V0.6Ohm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | STP9NK70Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220 | 对比 |
![]() | IPP65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | 对比 |




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