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AOT7S60L备选型号: TK8A60W5,S5VX

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包装/外壳
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
操作温度
包装
系列
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
配置
操作模式
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
最大漏极电流 (Abs) (ID)
RoHS状态
供应商器件包装
输入电容
最大rds

AOT7S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET N-CH 600V TO220

18 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
7A Tc
3.9V @ 250μA
-55°C~150°C TJ
Tube
aMOS™
2010
活跃
1 (Unlimited)
Single
增强型MOSFET
N-Channel
600m Ω @ 3.5A, 10V
372pF @ 100V
8.2nC @ 10V
600V
±30V
7A
7A
ROHS3 Compliant
-
-
-
TK8A60W5,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS

16 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3 Full Pack
8A Ta
4.5V @ 400μA
150°C TJ
Tube
DTMOSIV
2014
活跃
1 (Unlimited)
-
-
N-Channel
540mOhm @ 4A, 10V
590pF @ 300V
22nC @ 10V
600V
±30V
8A
-
符合RoHS标准
TO-220SIS
590pF
540 mΩ
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