AOT8N65备选型号: IPA65R1K0CEXKSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- 无铅
- MOSFET N-CH 650V 8A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-38A Tc-55°C~150°C TJTube2011活跃1 (Unlimited)N-Channel1.15 Ω @ 4A, 10V4.5V @ 250μA1400pF @ 25V28nC @ 10V650V±30V8AROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET N-CH 650V TO220-318 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack7.2A Tc-55°C~150°C TJTube2016活跃1 (Unlimited)N-Channel1 Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 200μA328pF @ 100V15.3nC @ 10V-±20V7.2AROHS3 CompliantSILICONCoolMOS™e3yes3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDSWITCHING无卤素TO-220AB650V1Ohm12A50 mJ超级交界处无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TK6A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS | 对比 |
| TK6A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS | 对比 | |
![]() | 2SK4099LS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI | 对比 |




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