ON Semiconductor 2SK4099LS
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2SK4099LS
1807-2SK4099LS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI
--最小包装量--
2SK4099LS详情
ON Semiconductor 2SK4099LS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta 35W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
引脚数量
3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
940m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
750pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 10V
上升时间
37ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
8.5A
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.94Ohm
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
215 mJ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
2SK4099LS拓展信息
ON Semiconductor
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