AOT9N70备选型号: R5007ANX
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 700V 9A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-39A Tc4.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTube2010活跃1 (Unlimited)N-Channel1.2 Ω @ 4.5A, 10V1630pF @ 25V35nC @ 10V700V±30V9AROHS3 Compliant-------------------
- MOSFET N-CH 500V 7A TO220-通孔通孔TO-220-3 Full Pack7A Ta4.5V @ 1mA150°C TJBulk2010不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel1.05 Ω @ 3.5A, 10V500pF @ 25V13nC @ 10V500V±30V7AROHS3 Compliant3SILICONyes3SINGLE26010R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDSWITCHINGTO-220AB7A28A500V3.5 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
![]() | R5007ANX | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 500V 7A TO220 | 对比 |
![]() | ZDX080N50 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM | 对比 |




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