AOTF15B65M1备选型号: IXYP15N65C3
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- 最大功率耗散
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- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- IGBT类型
- IGBT 650V 15A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-3TO-220650V-55°C~150°C TJTubeAlpha IGBT™2009活跃1 (Unlimited)36WStandard36W2.15V30A317 ns650V2.15V @ 15V, 15A32nC45A15ns/94ns290μJ (on), 200μJ (off)ROHS3 Compliant-
- IGBT 650V 38A 200W TO22024 Weeks通孔通孔TO-220-3-650V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2014活跃1 (Unlimited)200WStandard200W2.5V38A--2.5V @ 15V, 15A19nC80A15ns/68ns270μJ (on), 230μJ (off)ROHS3 CompliantPT
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGF15M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | 对比 |
![]() | IXYP15N65C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 650V 38A 200W TO220 | 对比 |
![]() | STGP15M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | 对比 |





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