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AOTF20N60备选型号: R6015ENX
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F18 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack20A Tc-55°C~150°C TJTube2009活跃1 (Unlimited)N-Channel370m Ω @ 10A, 10V4.5V @ 250μA3680pF @ 25V74nC @ 10V600V±30V20AROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 600V 15A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack15A Tc150°C TJBulk2014活跃1 (Unlimited)N-Channel290m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 1mA910pF @ 25V40nC @ 10V600V±20V15AROHS3 Compliant3SILICON3SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDSWITCHING4VTO-220AB0.29Ohm600V284 mJ无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP20NM60FP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP | 对比 |
| R6015ENX | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 | 对比 |
 | FCPF260N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E Power MOSFET, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V | 对比 |
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