AOTF25S65备选型号: STF20N65M5
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 650V 25A TO220F16 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON25A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJTubeaMOS™2009不用于新设计1 (Unlimited)3SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 12.5A, 10V1278pF @ 100V26.4nC @ 10V650V±30V25ATO-220AB0.19Ohm104A650V750 mJROHS3 Compliant---------------
- MOSFET N CH 650V 18A TO-220FP17 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack-18A Tc5V @ 250μA150°C TJTubeMDmesh™ V-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)--------N-Channel-190m Ω @ 9A, 10V1345pF @ 100V45nC @ 10V-±25V18A-----ROHS3 Compliant3EAR99STF20Single130W43 ns7.5ns7.5 ns25V650V16.4mm10.4mm4.6mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPA65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | 对比 |
| FCP150N65F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET HV SuperJunction MOS | 对比 | |
![]() | IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | In a Tube of 450, N-Channel MOSFET, 26.7 A, 600 V, 3 Tab-Pin TO-220FP Infineon IPAW60R190CEXKSA1 | 对比 |





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