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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.52871
10
¥15.593122
100
¥14.710493
500
¥13.877824
1000
¥13.092287
Infineon Technologies IPAW60R190CEXKSA1
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- 对比
IPAW60R190CEXKSA1
1211-IPAW60R190CEXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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In a Tube of 450, N-Channel MOSFET, 26.7 A, 600 V, 3 Tab-Pin TO-220FP Infineon IPAW60R190CEXKSA1
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPAW60R190CEXKSA1详情
Infineon Technologies IPAW60R190CEXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
34W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 630μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 9.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
63nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
26.7A
阈值电压
3V
场效应管特性
超级交界处
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPAW60R190CEXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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