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AOTF2606L备选型号: TK58E06N1,S1X

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底架
安装类型
包装/外壳
供应商器件包装
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
已出版
操作温度
包装
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
输入电容
最大rds
RoHS状态
系列

AOTF2606L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET N-CH 60V 13A TO220F

18 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3F
3.5V @ 250μA
13A Ta 54A Tc
2009
-55°C~175°C TJ
Tube
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
6.5mOhm @ 20A, 10V
4050pF @ 30V
75nC @ 10V
60V
±20V
13A
4.05nF
6.5 mΩ
ROHS3 Compliant
-
TK58E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 60V 58A TO-220

12 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
-
4V @ 500μA
58A Ta
2014
150°C TJ
Tube
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
5.4m Ω @ 29A, 10V
3400pF @ 30V
46nC @ 10V
60V
±20V
58A
-
-
符合RoHS标准
U-MOSVIII-H
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