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首页 全部分类 AOTF6N90 vs FQPF8N90C

AOTF6N90备选型号: FQPF8N90C

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  • 端子表面处理
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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOTF6N90
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3 Tab) TO-220F Tube
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    N-Channel
    2.2 Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1450pF @ 25V
    35nC @ 10V
    900V
    ±30V
    6A
    30V
    6A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF8N90C
    ON Semiconductor
    MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    6.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    增强型MOSFET
    60W
    N-Channel
    1.9 Ω @ 3.15A, 10V
    5V @ 250μA
    2080pF @ 25V
    45nC @ 10V
    -
    ±30V
    6.3A
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2.27g
    SILICON
    QFET®
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    900V
    6.3A
    Single
    ISOLATED
    40 ns
    SWITCHING
    110ns
    70 ns
    TO-220AB
    900V
    25A
    850 mJ
    无
    无铅
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