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AOW15S65备选型号: SPI15N65C3XKSA1
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
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- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
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- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 漏源电阻
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
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MOSFET N-CH 650V 15A TO26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AATO-26215A Tc-55°C~150°C TJTubeaMOS™2010不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel290mOhm @ 7.5A, 10V4V @ 250μA841pF @ 100V17.2nC @ 10V650V±30V15A841pF290 mΩROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-38 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AAPG-TO262-3-1156W Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel280mOhm @ 9.4A, 10V3.9V @ 675μA1600pF @ 25V63nC @ 10V650V±20V15A1.6nF280 mΩ符合RoHS标准3Single156W32 ns无卤素14ns11 ns20V650V650V280mOhm3 V4.5mm10.2mm9.45mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STI16N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | STMICROELECTRONICS STI16N65M5 Power MOSFET, N Channel, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| SPI15N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 | 对比 |
 | TK14C65W,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | 对比 |
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