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AOW284备选型号: IPI120N08S404AKSA1
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
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- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 15A TO26218 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AATO-26215A Ta 105A Tc-55°C~175°C TJTubeAlphaMOS2010活跃1 (Unlimited)175°C-55°CN-Channel4.3mOhm @ 20A, 10V3.3V @ 250μA5154pF @ 40V100nC @ 10V80V±20V105A5.154nF4.3 mΩROHS3 Compliant-------------------
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive14 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-120A Tc-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013Obsolete1 (Unlimited)--N-Channel4.4m Ω @ 100A, 10V4V @ 120μA6450pF @ 25V95nC @ 10V-±20V120A--ROHS3 CompliantSILICONe3yes3Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN无卤素80V0.0044Ohm480A310 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI032N06N3GAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
 | STI150N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK | 对比 |
| IPI120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive | 对比 |
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