AOWF10N65备选型号: FQI7N60TU
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 650V 10A TO262F18 Weeks通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak10A Tc-55°C~150°C TJTube2009活跃1 (Unlimited)N-Channel1 Ω @ 5A, 10V4.5V @ 250μA1645pF @ 25V33nC @ 10V650V±30V10AROHS3 Compliant-----------------------------
- MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK5 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA7.4A Tc-55°C~150°C TJTube2014活跃1 (Unlimited)N-Channel1 Ω @ 3.7A, 10V5V @ 250μA1430pF @ 25V38nC @ 10V-±30V7.4AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2.084gSILICONQFET®e3yes3EAR99Tin (Sn)600V未说明not_compliant7.4A未说明R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET3.13W30 nsSWITCHING80ns60 ns30V1Ohm600V29.6A580 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STI18N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK | 对比 |
![]() | STFI9N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP | 对比 |
![]() | IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 | 对比 |





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