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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.998979
10
¥10.376393
100
¥9.789054
500
¥9.234952
1000
¥8.712222
STMicroelectronics STI18N65M2
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- 对比
STI18N65M2
2381-STI18N65M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STI18N65M2详情
STMicroelectronics STI18N65M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
I2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
110W Tc
Turn Off Delay Time
46 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ M2
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
基本部件号
STI18N
元素配置
Single
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
330mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
770pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
12A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
输入电容
770pF
漏源电阻
330mOhm
最大rds
330 mΩ
高度
9.35mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STI18N65M2拓展信息
STMicroelectronics
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