AOWF11S65备选型号: STI18N65M2

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Full Pack, I2Pak
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    aMOS™
    2009
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    399m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    646pF @ 100V
    13.2nC @ 10V
    650V
    ±30V
    11A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    12A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    330mOhm @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    770pF @ 100V
    20nC @ 10V
    650V
    ±25V
    12A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    I2PAK
    150°C
    STI18N
    Single
    11 ns
    25V
    770pF
    330mOhm
    330 mΩ
    9.35mm
    10.4mm
    4.6mm
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