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AOWF412备选型号: IPI50N10S3L16AKSA1
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F18 Weeks通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak7.8A Ta 30A Tc-55°C~175°C TJTubeSDMOS™2009活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFETN-Channel15.8m Ω @ 20A, 10V3.8V @ 250μA3220pF @ 50V54nC @ 10V100V±25V30AROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-314 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA50A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008活跃1 (Unlimited)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel15.7m Ω @ 50A, 10V2.4V @ 60μA4180pF @ 25V64nC @ 10V-±20V50AROHS3 Compliant3SILICONe33EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明AEC-Q10110 ns无卤素5ns20V100V0.0209Ohm200A含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 | 对比 |
| IPI70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | 对比 |
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