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首页 全部分类 APL502LG vs NTY100N10

APL502LG备选型号: NTY100N10

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Microsemi Corporation
    APL502LG
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.6g
    SILICON
    58A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    90mOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    500V
    SINGLE
    58A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    730W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    90m Ω @ 29A, 12V
    4V @ 2.5mA
    9000pF @ 25V
    27ns
    ±30V
    16 ns
    58A
    30V
    500V
    232A
    3000 mJ
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTY100N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    -
    SILICON
    313W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    100V
    -
    123A
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    313W
    -
    -
    N-Channel
    10m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10110pF @ 25V
    150ns
    ±20V
    250 ns
    123A
    20V
    100V
    -
    500 mJ
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    3
    240
    not_compliant
    30
    不合格
    Single
    SWITCHING
    350nC @ 10V
    0.01Ohm
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NTY100N10G NTY100N10G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-264-3, TO-264AA MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 对比