Microsemi Corporation APL502LG

工厂交货时间

24 Weeks

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

10.6g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Turn Off Delay Time

56 ns

Power Dissipation (Max)

730W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

58A Tc

已出版

1997

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

90mOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

500V

端子位置

SINGLE

额定电流

58A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

730W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 29A, 12V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9000pF @ 25V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

58A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

232A

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

宽度

20.5mm

长度

26.49mm

高度

5.21mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅