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首页 全部分类 APT100GN120B2G vs IXYX100N120B3

APT100GN120B2G备选型号: IXYX100N120B3

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT100GN120B2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 245A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    HIGH RELIABILITY
    960W
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    50 ns
    960W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    245A
    1200V
    100 ns
    2.1V @ 15V, 100A
    935 ns
    沟渠现场停车
    540nC
    300A
    50ns/615ns
    11mJ (on), 9.5mJ (off)
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYX100N120B3
    IXYS
    IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.15kW
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    1150W
    -
    N-CHANNEL
    2.6V
    225A
    1200V
    -
    2.6V @ 15V, 100A
    -
    PT
    250nC
    530A
    30ns/153ns
    7.7mJ (on), 7.1mJ (off)
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    GenX3™, XPT™
    EAR99
    unknown
    20V
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
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