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APT100GN60LDQ4G备选型号: IXGK320N60A3
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
IGBT 600V 229A 625W TO26425 WeeksTin通孔通孔TO-264-3, TO-264AA10.6gSILICON600V1.5V-55°C~175°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99HIGH RELIABILITY600V625W100A3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V229A96 ns1.85V @ 15V, 100A229A435 ns沟渠现场停车600nC300A31ns/310ns4.75mJ (on), 2.675mJ (off)30V6.5V5.21mm26.49mm20.5mm无符合RoHS标准无铅--------
IGBT 600V 320A 1000W TO264AA30 Weeks-通孔通孔TO-264-3, TO-264AA10.000011gSILICON600V1.05V-55°C~150°C TJTube2009e1yes活跃1 (Unlimited)3-低导通损耗-1kW-3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.25V320A139 ns1.25V @ 15V, 100A-1870 nsPT560nC700A--20V5V----ROHS3 Compliant无铅GenX3™Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)未说明未说明不合格1kW63 ns1000W- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT75GN60LDQ3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
| APT65GP60L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX | 对比 |
| IXXK110N65B4H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |
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