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APT100GN60LDQ4G备选型号: IXXK110N65B4H1
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- 终止次数
- ECCN 代码
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
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- 开关能量
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
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- 基本部件号
- 功率耗散
- 反向恢复时间
IGBT 600V 229A 625W TO26425 WeeksTin通孔通孔TO-264-3, TO-264AA10.6gSILICON600V1.5V-55°C~175°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99HIGH RELIABILITY600V625W100A3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V229A96 ns1.85V @ 15V, 100A229A435 ns沟渠现场停车600nC300A31ns/310ns4.75mJ (on), 2.675mJ (off)30V6.5V5.21mm26.49mm20.5mm无符合RoHS标准无铅-----
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT18 Weeks-通孔通孔TO-264-3, TO-264AA--400V, 55A, 2 Ω, 15V1.75V-55°C~175°C TJTube2013--活跃1 (Unlimited)----880W---Single-Standard-N-CHANNEL650V240A-2.1V @ 15V, 110A--PT183nC630A38ns/156ns2.2mJ (on), 1.05mJ (off)20V6.5V----ROHS3 Compliant无铅GenX4™, XPT™unknown110N65880W100 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT75GN60LDQ3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
| APT65GP60L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX | 对比 |
| IXXK110N65B4H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |
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