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首页 全部分类 APT100GT120JR vs APT100GN120J

APT100GT120JR备选型号: APT100GN120J

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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT100GT120JR
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
    570W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    570W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    123A
    100μA
    1200V
    6.7nF
    150 ns
    3.7V @ 15V, 100A
    747 ns
    NPT
    无
    20V
    6.7nF @ 25V
    3.7 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT100GN120J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    -
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    446W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    153A
    100μA
    1200V
    6.5nF
    100 ns
    2.1V @ 15V, 100A
    935 ns
    沟渠现场停车
    无
    30V
    6.5nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    30.000004g
    1.7V
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1.2kV
    153A
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    无铅
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