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首页 全部分类 APT100GT120JR vs APT100GN120JDQ4

APT100GT120JR备选型号: APT100GN120JDQ4

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  • 输入
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  • 最大集电极电流
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • Microsemi Corporation
    APT100GT120JR
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
    570W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    570W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    123A
    100μA
    1200V
    6.7nF
    150 ns
    3.7V @ 15V, 100A
    747 ns
    NPT
    无
    20V
    6.7nF @ 25V
    3.7 V
    符合RoHS标准
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT100GN120JDQ4
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 153A 4-Pin SOT-227
    29 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    -
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    LOW CONDUCTION LOSS, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
    446W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    446W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    153A
    200μA
    1200V
    6.5nF
    100 ns
    2.1V @ 15V, 100A
    935 ns
    沟渠现场停车
    无
    30V
    6.5nF @ 25V
    2.1 V
    符合RoHS标准
    yes
    EAR99
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