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首页 全部分类 APT100GT120JRDQ4 vs APT85GR120JD60

APT100GT120JRDQ4备选型号: APT85GR120JD60

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  • 功率 - 最大
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  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT100GT120JRDQ4
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    29 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Thunderbolt IGBT®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
    570W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    570W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    123A
    200μA
    1200V
    7.85nF
    150 ns
    3.7V @ 15V, 100A
    747 ns
    NPT
    无
    20V
    7.85nF @ 25V
    3.7 V
    符合RoHS标准
    -
  • Microsemi Corporation
    APT85GR120JD60
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    30 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    -
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    543W
    -
    -
    -
    Single
    -
    543W
    -
    -
    Standard
    1.2kV
    116A
    1.1mA
    1200V
    8.4nF
    -
    3.2V @ 15V, 85A
    -
    NPT
    无
    -
    8.4nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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