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首页 全部分类 APT100GT60JR vs APT200GN60J

APT100GT60JR备选型号: APT200GN60J

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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
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  • 最大集电极电流
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  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 功率 - 最大
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT100GT60JR
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    UL 认证
    600V
    500W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    148A
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    148A
    25μA
    5.15nF
    115 ns
    2.5V @ 15V, 100A
    450 ns
    NPT
    无
    30V
    5.15nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT200GN60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    -
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    -
    682W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    283A
    25μA
    14.1nF
    75 ns
    1.85V @ 15V, 200A
    1210 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    14.1nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    30.000004g
    1.5V
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    682W
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
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