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首页 全部分类 APT10M19BVRG vs IPW60R041C6FKSA1

APT10M19BVRG备选型号: IPW60R041C6FKSA1

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  • 输入电容
  • 最大rds
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Microsemi Corporation
    APT10M19BVRG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    TO-247 [B]
    75A Tc
    Tube
    POWER MOS V®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    100V
    370W
    75A
    370W
    16 ns
    N-Channel
    19mOhm @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    6120pF @ 25V
    300nC @ 10V
    40ns
    100V
    20 ns
    75A
    30V
    5.28nF
    170 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R041C6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    -
    -
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    77.5A Tc
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    41m Ω @ 44.4A, 10V
    3.5V @ 2.96mA
    6530pF @ 10V
    290nC @ 10V
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    ±20V
    0.041Ohm
    272A
    600V
    1954 mJ
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