您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APT10M19BVRG vs IPW60R070P6XKSA1

APT10M19BVRG备选型号: IPW60R070P6XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Microsemi Corporation
    APT10M19BVRG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    TO-247 [B]
    75A Tc
    Tube
    POWER MOS V®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    100V
    370W
    75A
    370W
    16 ns
    N-Channel
    19mOhm @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    6120pF @ 25V
    300nC @ 10V
    40ns
    100V
    20 ns
    75A
    30V
    5.28nF
    170 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R070P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    53.5A Tc
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    23 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 20.6A, 10V
    4.5V @ 1.72mA
    4750pF @ 100V
    100nC @ 10V
    15ns
    -
    4 ns
    53.5A
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无卤素
    ±20V
    600V
    0.07Ohm
    156A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin TO-247 Tube 对比
STW60NM50N STW60NM50N STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N CH 500V 68A TO-247 对比
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247 对比