APT1204R7BFLLG备选型号: SCT20N120

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    3.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1997
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    1.2kV
    SINGLE
    3.5A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    135W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7 Ω @ 1.75A, 10V
    5V @ 1mA
    715pF @ 25V
    31nC @ 10V
    2ns
    1200V
    ±30V
    24 ns
    3.5A
    TO-247AD
    30V
    1.2kV
    425 mJ
    150°C
    25.96mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    20A Tc
    -55°C~200°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    10 ns
    N-Channel
    -
    290m Ω @ 10A, 20V
    3.5V @ 1mA
    650pF @ 400V
    45nC @ 20V
    16ns
    1200V
    +25V, -10V
    17 ns
    20A
    -
    25V
    1.2kV
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    38.000013g
    未说明
    未说明
    SCT20
    Single
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