STMicroelectronics SCT20N120
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SCT20N120
2381-SCT20N120
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
--最小包装量--
SCT20N120详情
STMicroelectronics SCT20N120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
质量
38.000013g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Power Dissipation (Max)
175W Tc
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~200°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
SCT20
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
290m Ω @ 10A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
650pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 20V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
+25V, -10V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
1.2kV
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SCT20N120拓展信息
STMicroelectronics
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