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APT13005STF-G1备选型号: APT13005DT-G1

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  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Diodes Incorporated
    APT13005STF-G1
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 28W
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    SILICON
    450V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2017
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    28W
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE
    28W
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    1V
    3.2A
    8 @ 2A 5V
    TO-220AB
    1V @ 750mA, 3A
    4MHz
    4MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    APT13005DT-G1
    Diodes Incorporated
    Trans GP BJT NPN 450V 4A 3-Pin TO-220AB Tube
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    450V
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    75W
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    -
    -
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    450V
    4A
    8 @ 2A 5V
    TO-220AB
    900mV @ 1A, 4A
    4MHz
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    2.299997g
    900mV
    Single
    4MHz
    9V
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