Diodes Incorporated APT13005DT-G1

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Collector-Emitter Saturation Voltage

900mV

Current-Collector (Ic) (Max)

4A

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

75W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 2A 5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 1A, 4A

转换频率

4MHz

发射极基极电压 (VEBO)

9V

RoHS状态

ROHS3 Compliant