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首页 全部分类 APT13GP120BG vs IRG4PH40UD-EPBF

APT13GP120BG备选型号: IRG4PH40UD-EPBF

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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT13GP120BG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 41A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    23 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.2kV
    250W
    41A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    41A
    TO-247AD
    1200V
    21 ns
    3.9V @ 15V, 13A
    270 ns
    PT
    55nC
    50A
    9ns/28ns
    115μJ (on), 165μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PH40UD-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 41A 160W TO247-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    超快软恢复
    1.2kV
    160W
    41A
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.1V
    41A
    TO-247AD
    1200V
    74 ns
    3.1V @ 15V, 21A
    750 ns
    -
    86nC
    82A
    46ns/97ns
    1.8mJ (on), 1.93mJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    2.43V
    160W
    35ns
    63 ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
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