我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
APT14M100S备选型号: IPB90R340C3ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- Reach合规守则
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 最大双电源电压
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(2 Tab) D3PAKIN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON14A Tc-55°C~150°C TJBulkPOWER MOS 8™1997yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Pure Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼245303R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET500WDRAINN-ChannelSWITCHING880m Ω @ 7A, 10V5V @ 1mA3965pF @ 25V120nC @ 10V1000V±30V14A30V0.88Ohm55A875 mJ符合RoHS标准---------
MOSFET COOL MOS-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON15A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)CoolMOS™2012no不用于新设计1 (Unlimited)2-Tin (Sn)-SINGLE鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET208WDRAINN-ChannelSWITCHING340m Ω @ 9.2A, 10V3.5V @ 1mA2400pF @ 100V94nC @ 10V-±20V15A20V0.34Ohm34A678 mJROHS3 Compliant6 Weekse3not_compliant70 ns无卤素20ns25 ns900V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB90R340C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET COOL MOS | 对比 |
 | FCB290N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | 对比 |
 | STB10N95K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
哦! 它是空的。