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首页 全部分类 APT150GN120J vs APT75GT120JU2

APT150GN120J备选型号: APT75GT120JU2

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  • 额定电流
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  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 功率 - 最大
  • VCEsat-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT150GN120J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
    1.2kV
    625W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    215A
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    215A
    100μA
    1200V
    9.5nF
    120 ns
    2.1V @ 15V, 150A
    955 ns
    沟渠现场停车
    无
    30V
    9.5nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT75GT120JU2
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    2004
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS
    -
    416W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    100A
    5mA
    1200V
    5.34nF
    335 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    5.34nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    416W
    2.1 V
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