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首页 全部分类 APT15GP90BDQ1G vs IXYH24N90C3D1

APT15GP90BDQ1G备选型号: IXYH24N90C3D1

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  • 最大功率耗散
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT15GP90BDQ1G
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 43A 250W TO247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    900V
    250W
    未说明
    43A
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    43A
    TO-247AD
    23 ns
    3.9V @ 15V, 15A
    170 ns
    PT
    60nC
    60A
    9ns/33ns
    200μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYH24N90C3D1
    IXYS
    IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    雪崩 额定
    -
    200W
    -
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    44A
    TO-247AD
    60 ns
    2.7V @ 15V, 24A
    215 ns
    -
    40nC
    105A
    20ns/73ns
    1.35mJ (on), 400μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    38.000013g
    2.7V
    200W
    340 ns
    20V
    6V
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