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首页 全部分类 APT15GP90KG vs IXYP8N90C3D1

APT15GP90KG备选型号: IXYP8N90C3D1

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT15GP90KG
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 43A 250W TO220
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    900V
    2006
    POWER MOS 7®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    纯哑光锡
    低导通损耗
    900V
    250W
    43A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    43A
    TO-220AB
    23 ns
    3.9V @ 15V, 15A
    170 ns
    PT
    60nC
    60A
    9ns/33ns
    200μJ (off)
    符合RoHS标准
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYP8N90C3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    -
    900V
    2013
    GenX3™, XPT™
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    雪崩 额定
    -
    125W
    -
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    20A
    TO-220AB
    39 ns
    2.5V @ 15V, 8A
    238 ns
    -
    13.3nC
    48A
    16ns/40ns
    460μJ (on), 180μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    24 Weeks
    2.15V
    175°C
    -55°C
    125W
    114 ns
    20V
    6V
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