APT18M80B备选型号: FCH190N65F-F155
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- DS 击穿电压-最小值
- MOSFET N-CH 800V 19A TO-247IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)8 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON19A Tc-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 8™1997e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定800VSINGLE18A3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET500WDRAIN21 nsN-ChannelSWITCHING530m Ω @ 9A, 10V5V @ 1mA3760pF @ 25V120nC @ 10V31ns±30V27 ns19A30V0.53Ohm70A795 mJ无符合RoHS标准无铅----------
- MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longleadACTIVE (Last Updated: 1 day ago)12 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON20.6A Tc-55°C~150°C TJTubeFRFET®, SuperFET® II-e3yes活跃1 (Unlimited)3-Tin (Sn)-----R-PSFM-T3-增强型MOSFET--25 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 10A, 10V5V @ 2mA3225pF @ 100V78nC @ 10V11ns±20V4.2 ns20.6A30V--400 mJ-ROHS3 Compliant-6.39g190mOhm未说明not_compliant未说明1Single650VTO-247AB650V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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