ON Semiconductor FCH190N65F-F155

工厂交货时间

12 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.6A Tc

Turn Off Delay Time

62 ns

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

系列

FRFET®, SuperFET® II

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

190mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3225pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

78nC @ 10V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.2 ns

连续放电电流(ID)

20.6A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant