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首页 全部分类 APT20GN60BDQ1G vs IRG4PC40WPBF

APT20GN60BDQ1G备选型号: IRG4PC40WPBF

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 表面安装
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最大下降时间 (tf)
  • Microsemi Corporation
    APT20GN60BDQ1G
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 40A 136W TO247
    25 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    400V, 20A, 4.3 Ω, 15V
    1999
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    600V
    136W
    40A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    19 ns
    1.9V @ 15V, 20A
    290 ns
    沟渠现场停车
    120nC
    60A
    9ns/140ns
    230μJ (on), 580μJ (off)
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PC40WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 40A 160W TO247AC
    14 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    -
    SILICON
    40A
    2004
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    -
    -
    48 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    294 ns
    -
    98nC
    160A
    27ns/100ns
    110μJ (on), 230μJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    NO
    EAR99
    低导通损耗
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE
    160W
    TO-247AC
    600V
    160W
    110ns
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